การต่อสารชนิด พี ( P-Type ) และ สารชนิดเอ็น ( N- Type )

สวัสดีครับ ….ช่วงนี้ก็เข้าสู่หน้าฝนแล้ว โรคภัยไข้เจ็บก็ระบาดเป็นระยะๆ โรคเก่ายังไม่ซ่า(ไข้หวัดใหญ่2009 ) เดี๋ยวโรคใหม่ก็ตามมา เช่นโรคฉี่หนู บ้าง โรคน้ำกัดเท้าบ้าง ก็ต้องฝากระวังตัวสักหนิดหนึ่ง หลีกเลี่ยงพื้นที่เปียกแฉะหรือถ้าหากเลี่ยงไม่ได้ ก็ควรทำความสะอาดเท้าทุกครั้งหลังจากเดินลุยน้ำที่ไม่สะอาด
ก็มีบทความมา ทบทวนความรู้กันเป็นประจำใน Blog นี้ ก็เริ่มเลย..ก็แล้วกัน การต่อสาร 2 ชนิดนี้มีอยู่ 2 แบบ แบบแรก การต่อไบอัสแบบฟอร์เวิร์สไบอัส ( forward Bias ) หรือเรียกว่า ไบอัสตรง คือขั่วบวกต่อที่เข้าสาร ชนิด พี ขั่วลบต่อเข้าที่สารชนิดเอ็นของแบตเตอรี่ เนื่องจากค่าแรงเคลื่อนขั่วบวกของแบตเตอรี่มากกว่าค่าโพเทนเชี่ยล ประจุบวกจากแบตเตอรี่มีแรงพอที่จะผลักประจุโฮลในสารชนิด พี ( P- Type ) ให้เคลื่อนที่ไปหาสารชนิด เอ็น( N- Type ) ขณะเดียวกันประจุลบ ก็จะผลักประจุข้างมากคืออิเล็คตรอนในสารชนิด เอ็น ให้เคลื่อนที่ไปยังทางสารชนิดพี ลักษณะเช่นนี้ถ้าแบตเตอรี่มีแรงเคลื่อนที่ไฟฟ้ามากกว่าค่าโพเทนเชี่ยล ( ประมาณ 0.6 v. )จะทำให้ประจุของโฮลและอิเล็คตรอนสามารถวิ่งเข้าหากันได้ ช่องว่างระหว่างจังชั่นจึงแคบลง จึงเกิดการเคลื่อนที่ของอิเล็คตรอน จากขั่วบวกไปหาขั่วลบของแบตเตอรี่ สามารถนำกระแสได้ หรือทิศทางของกระแสนิยม ทางไฟฟ้า
การต่อแบบรีเวิร์สไบอัส ( Revers Bias ) หรือ ไบอัสกลับ จะชั่วสลับกันกับแบบที่แล้ว คือ ต่อขั่วลบเข้ากับสารพี ขั่วบวกเข้ากับสารเอ็น การต่อลักษณะนี้ทำให้กระแสไหลผ่านไปไม่ได้ เนื่องจากขั่วของแบตเตอรี่แต่ละขั่วเข้ามาเสริมกับค่าโพเทนเชี่ยลของสาร มีผลทำให้เกิดรอยต่อดีพลีชั่นกว้างขึ้น อิเล็คตรอนอิสระจึงไม่สามารถเคลื่อนที่ข้ามไปยังรอยต่อ สารพีได้ ขณะเดียวกันโฮลซึ่งเป็นประจุข้างมากก็ไม่สามารถข้ามรอยต่อได้เช่นกัน จึงทำไม่เกิดการเคลื่อนที่ของอิเล็คตรอน แรงดันไฟฟ้า ,กระแสไฟฟ้าจึงไม่มีการไหลข้ามรอยต่อนี้ขึ้น

หัวต่อ พี- เอ็น

สวัสดีครับก็มีเรื่องราวมาทบทวนความรู้กันอีกเช่นเคย ก็ได้มีโอกาสได้ดูข่าวของไมเคิลแจ็ค สัน ได้เสีย
ชีวิต ถือได้ว่าขาดราชาเพลงร็อกที่ความโดดเด่นมีท่าเต้นเฉพาะตัวไปอีกคน นี่แหละ ชีวิตไม่มีอะไรจีรัง
ยั่งยืน คนที่มีชีวิตอยู่ก็สู้ต่อไป.....
ก็เริ่มทบทวนความรู้กันเลย ถ้าหากเรานำสารกึ่งตัวนำ P และ N มาเชื่อต่อกัน จะเกิดปรากฏการณ์
ใหม่ เพราะโครงสร้างของสาร พี และ เอ็น มีประจุข้างมากไม่เหมือนกัน ชนิด พี ประจุข้างมากคือ โฮล
ชนิด เอ็น ประจุข้างมากคือ อิเลคตรอนอิสระ
เมื่อเรานำสารกึ่งตัวนำชนิด พี และ เอ็น มาต่อกัน อิเลคตรอนอิสระในสารกึ่งตัวนำชนิดเอ็นจะเคลื่อนที่
ข้ามเข้าไปยังสารกึ่งตัวนำชนิดพี และขณะเดียวกันโฮลจากสารกึ่งตัวนำชนิดพี ก็จเคลื่อนที่ข้ามรอยต่อไปยังสาร
กึ่งตัวนำชนิดเอ็น เราเรียกมันเกิดการแพร่ อิเลคตรอนอิสระจะไปรวมตัวกับโฮลในสาร พี ทำให้อะตอมของสารชนิดพี กลายเป็นไอออนลบ เมื่อเราพิจรณาดูทางด้านเอ็น อิเลคตรอนจะเคลื่อนที่ออกจากด้านเอ็น ทำให้อะตอมด้านเอ็น ขาดไปกลายเป็นไอออนบวกขึ้นแทน การเคลื่อนที่ของโฮลและอิเลคตรอนจะดำเนินการไป
เรื่อยๆ จนกระทั้งรอยต่อทางด้านพี มีอิเลคตรอนสะสมมากขึ้น เมื่ออิเลคตรอนมากพอมันก็จะผลักอิเลคตรอน
ตัวอื่นไม่ให้เคลื่อนที่ข้ามรอยต่ออีกต่อไป โฮลก็จะหยุดเคลื่อนที่ ดั่งนั้นตรงรอยต่อหรือ จังชั่น ( Junction )
จะมีสนามไฟฟ้าเล็กๆ ขึ้นมาสนามหนึ่งคอยขัดขวางมิให้เกิดการเคลื่อนที่ของโฮลและอิเลคตรอน เรียกบริเวณ
รอยต่อนี้ว่า การเกิดดีพลีชั่นเรเยี่ยน ( Depletion Region ) หรือ เกิดจังชั่นโพเทนเชี่ยล ( Potential
Junction ) อันเปรียบเสมือนเนินเขาเล็กๆ เนินหนึ่งที่ป้องกันไม่ให้ประจุจากสารพี และประจุจากสารเอ็น
เดินทางมาหากันได้ เมื่อเกิดสภาวะสมดุลขึ้นแล้วเราสามารถทำให้ประจุของโฮลและอิเลคตรอนก็ต่อเมื่อ
เราทำให้ค่าโพเทนเชี่ยล หรือความลาดชันของเนินเขานี้ต่ำน้อยลง แคบลงพอที่จะให้โฮลและอิเลคตรอนเคลื่อนที่
เข้าหากันได้จึงเกิดการถ่ายเทของการะแสไฟฟ้า
เมื่อเราต่อแบตเตอรี่ ขั่วบวกเข้ากับสารกึ่งตัวนำชนิดพี และต่อขั่วลบของแบตเตอรี่ให้สารชนิดเอ็น
ทำให้แรงเคลื่อนที่ไฟฟ้า ( Electromotive force : E ) ของแบตเตอรี่เข้าไปหักล้างกับโพเทนเชี่ยล ทำให้ค่าโพเทนเชี่ยลลดน้อยลง ลักษณะเช่นนี้แล้วกระแสไฟฟ้าก็สามารถเคลื่อนที่ผ่านรอยต่อพี. เอ็น ไปได้หาว่าแรงแรงเคลื่อนที่ของแบตเตอรี่มากกว่าค่าโพเทนเชี่ยล ซึ่งจะมาทบทวนครั้งต่อไป

ความรู้เบื้องต้นสารกึ่งตัวนำ Semiconductor ตอนที่ 3

สวัสดีครับ ! ถึงเวลามา ทบทวนความรู้ กันอีกแล้ว มาเจอะเจอกันเป็นประจำ กับข้อมูลข่าวสาร เพิ่มความรู้ความเข้าใจในหลักการต่างๆ กับสารประเภทสารกึ่งตัวนำ ( Semiconductor ) รู้ไหมครับว่า....ตอนนี้ประเทศคู่แข่งที่น่ากลัวทางธุรกิจประเภทอุสาหกรรมในอาเชียนคือประแทศอะไร.......ซึ่งแต่ก่อนประเทศนี้จะมาเทียบประเทศไทยเราไม่ได้เลยในด้านธุรกิจประเภทอุตสาหกรรมต่างๆ ซึ่งตอนนี้เขาจะแซงเราไปหนิดๆ .....และค่อนไปทางมาก นักลงทุนต่างประเทศไม่กล้าลงทุนในประเทศไทยเพราะอะไร การเมืองหรือเปล่า ...? คนในประเทศขาดความรู้ ความสามารถหรือเปล่า..? ประเทศไม่มีความสงบหรือเปล่า..? ฯลฯ ก็ฝากทุกๆท่านที่อยู่ในประเทศนี้ตอบช่วยตอบคำถามนี้ในใจก็แล้วกัน ส่วนเฉลยดูท้ายบทความครับผม.
เริ่มบทความรู้เราดีกว่า...สารกึงตัวนำมีอยู่ 2 ชนิด คือ 1. สารกึ่งตัวนำชนิด เอ็น ( Negative Type หรือ N-Type ) 2. สารกึ่งตัวนำชนิด พี ( Positive Type หรือ P-Type ) การโด๊ปทำโดยกระบวนการที่เรียกว่า การออกซิเดชั้น จะนำสารซิลิกอน หรือเยอรมันเนียมบริสุทธิ์หลอมละลายด้วยอุณหภุมิ ประมาณ 900-1000 องศา C แล้วเติมสารเจือลงไปเป็นเนื้อเดียวกัน สารที่เติมไปนี้จะมีจำนวนวาเลนซ์อีเล็กตรอน จำนวน 3 และ 5 ตัว
เมื่อเราพิจารณาถึงการเติมสารเข้าไป ถ้าเราเติมสารเจือที่มีจำนวนวาเลนซ์อีเล็คตรอน 5 ตัวลงไป จะทำให้อะตอมของสารเจือตัวหนึ่งเข้าไปยึดเกาะกับอะตอมสารกึ่งตัวนำข้างเคียงในระบบโควาเรนซ์ ในการยึดเกาะหรือรวมตัวกันจะมีในหนึ่งอะตอมจะเหลืออีเล็คตรอนอยู่ 1 ตัวที่ไม่สามารถจับในบอนได้ เป็นอีเล็กตรอนอิสระ สารแบบนี้เรียกว่าสารผู้ให้( Donor )หรือ เรียกสารชนิดนี้ว่า ชนิด เอ็น ( Negative Type, N- Type ) สารเจือพวกนี้ได้แก่ สารหนู ( Arsenic ) พลวง ( Antimony ) ฟอสฟอรัส ( Phosphorus ) เป็นต้น
เมื่อเราเติมสารสารเจือจำนวนอีเล็คตรอนเท่ากับ 3 เข้าสู่การยึดเกาะในโควาเลนซ์แล้วจะทำให้ขาดอีเล็คตรอนไปหนึ่งตัวต่อหนึ่งอะตอม ทำให้เกิดช่องว่างเรียกว่า โฮล ( Hole ) โจะแสดงประจุไฟฟ้าเป็นบวก ลักษณะสารกึ่งตัวนำชนิดนี้จึงสามารถรับอีเล็คตรอน
จากภายนอกได้อีกเพื่อให้จำนวนในบอนด์ครบแปดตัว หรือเรียกว่าผู้รับ ( Acceptor ) เรียกทั่วไปว่า ชนิด พี ( Positive Type ,
P-Type ) สารเจือพวกนี้ได้แก่ อะลูมิเนี่ยม ( Aluminium ) โบรอน (Boron ) แกลเลี่ยม ( Gallium ) และ อินเดียม ( Indium ) เป็นต้น. ส่วนวันนี้ก็คงฝากไว้แค่นี้ก่อน เฉลยคำถามเลยแล้วกัน เวียดนาม , มาเลเชีย จะจริงหรือเปล่าช่วยพิจารณาด้วยครับ....

ความรู้เบื้องต้นสารกึ่งตัวนำ Semiconductor ตอนที่ 2

สวัสดีครับ ก็ไม่ได้ Update นานพอสมควรก็ต้องขออภัยด้วย งานช่วงนี้เยอะๆ ช่วงนี้ไข้หวัดใหญ่ ( H1N1 A )กำลังระบาด
การเดินทางไปใหนมาใหนก็ระวังนิด.....หนึ่ง โดยชุมชนคนเยอะๆ เช่น โรงเรียน ,สถานีขนส่ง , สนามบิน, ห้างสรรพสินค้าทั่วไป ติดตามข่าวสารเป็นประจำ ถ้าหากหลีกเลี่ยงสถานที่ดังกล่าวไม่ได้ควรสวมผ้าปิดจมูก , ล้างมือให้บ่อยขึ้น ก็น่าจะป้องกันได้เบื้องต้น
เริ่ม Update เรื่องของเราเลยแล้วกัน.....
ปัจจุบันบทบาทของสารกึ่งตัวนำมีการนำเอามาใช้งานอย่างกว้างขวาง ธาตุที่นิยมมากคือ เยอรมันเนียม ( Germanium:Ge )
กับ ซิลิกอน ( Silicon :Si ) อะตอมของเยอรมันเนียมมีอิเล็กตรอนทั้งหมด 32 ตัว ส่วนของซิลิกอน มีทั้งหมด 14 ตัว ธาตุทั้ง 2 ชนิดนี้ มีวาเลนซ์อิเล็คตรอนหรืออิเล็คตรอนวงนอกสุดทั้งหมด 4 ตัว โดยรวมตัวกันเป็นผลึกโดยการรวมอะตอมระหว่างกันและกัน หรือ เรียกว่าสภาวะบอนด์ ( Bond ) เมื่อเกิดบอนด์ขึ้นมาแล้วทำให้วาเลนซ์อิเล็คตรอนครบ 8 ตัว สารแต่ละสารนั้นทีลักษณะการรวมตัวไม่เหมือนกัน แต่ของสารกึ่งตัวนำจะมีลักษณะของโควาเลนซ์บอนด์ ซึ่งเป็นบอนด์ที่อะตอมหนึ่งอะตอมจะต้องรวมกันกับอะตอมอื่น
อีก 4 อะตอม เพื่อให้วาเลนซ์อิเล็คตรอนครบ 8 ตัว กล่าวคือบวกกับวาเลนซ์อิเล็กตรอนของตัวเองมีอยู่อีก 4 ตัว การเติมพลังงานหรือการโด๊ป ( Doping ) ปกติสารกึ่งตัวนำไม่มีประโยชน์ทางไฟฟ้าเลย เพราะว่ามันเป็นสารกึ่งตัวนำ
ซึ่งเป็นตัวนำก็ไม่ได้ จะเป็นฉนวนก็เลว แต่มันสามารถเกิดประโยชน์ได้ต่อเมื่อเราเติมสารเจือปนลงไป เพื่อทำให้จำนวนอิเล็คตรอน
( Electron ) หรือจำนวนโฮล ( Hole ) เพิ่มขึ้น อะตอมที่เราเติมเรียกว่าสารเจือ ( Impurity ) การเติมสารเจือลงไปเราเรียกว่าการ
โด๊ป (Doping ) สารกึ่งตัวนำบริสุทธิ์(Intrinsic semiconductor ) เมื่อโดนโด๊ปแล้วจะได้เป็นเป็นสารกึ่งตัวนำที่ไม่บริสุทธิ์
( Extrinsic semiconductor ) หรือเรียกอีกอย่างว่า สารกึ่งตัวนำเจือสารเจือ ( Impurity semiconductor )
สารกึ่งตัวนำไม่บริสุทธ์ ( Extrinsic semiconductor ) มีอยู่ 2 ชนิด คือ ชนิด พี ( P ) และ เอ็น ( N )จะกล่าวในครั้งต่อไป
สำหรับวันนี้ก็คงแค่นี้ก่อนนะครับ...............

สวัสดีครับ ! วันนี้มีความรู้พื้นฐานทางอิเล็กฯ ตามเคยให้พี่ๆ,เพื่อนๆ,น้องๆ ได้ทบทวนความรู้ที่เคยเรียนมา
( คืนอาจารย์เกือบหมดแล้ว ! ) เริ่มกันเลยแล้วกัน
สารกึ่งตันำได้พัฒนาตั่งแต่ปี ค.ศ 1945 เป็นต้นมา จากการทดลองของ บ. เบล เทลีโฟน วิศวกรชื่อ
จอนห์น บาร์ดีน และ วิลเลี่ยม ช็อกเลย์ ได้ค้นพบสารกึ่งตัวนำ สามารถเรียงกระแสไฟฟ้าสลับเป็น
กระแสไฟฟ้าตรง
เนื่องด้วยสารสสารทุกชนิดประกอบขึ้นจากอนุภาคเล็กๆ ที่เราเรียกว่าอะตอม ( Atom ) ในอะตอม
ประกอบไปด้วย โปรตอน นิวตอน และ อิเล็กตรอน โดยมีโปรตอนกับนิตรอนจะอยู่ภายในนิวเครียส
จำนวนโปรตอนจะพอดีกับจำนวนอิเล็กตรอนชึ่งวิ่งวนอยู่รอบๆนิวเครียส เนื่องจากการที่อิเล็กตรอนวิ่ง
รอบนิวเคลียสนี้เองจะเกิดแรงหนีศูนย์ ชึ่งจะคล้าย ระบบสุริยะ จักรวาลของเรานั้นเอง ชั้นของวง
โคจรจะมีอิเล็คตรอนจำนวนที่ไม่เท่ากัน อิเล็กตรอนที่อยู่ใกล้กับนิวเครียสจะมีระดับพลังงานต่ำ
อันเนื่องจากนิวเครียสดึงดูดได้มาก แต่ถ้าวงไกลออกไปจะมีระดับพลังานสูง สามารถเอาพลังาน
จากภายนอกมาผลักดัน อิเล็คตรอนให้เคลื่อนที่ไปได้สะดวก การเคลื่อนที่ของอิเล็คตรอนก็คือการใหล
ของกระแสไฟฟ้านั้นเอง อิเล็คตรอนวงนอกสุดเรียกว่า วาเลนซ์อิเล็กตรอน ดังนั้นถ้าจะแยกตามทฤษฎี
แถบพลังงานแบ่งออกเป็น 2 ลักษณะใหญ่ๆ คือ ฉนวน และตัวนำ
ฉนวน คือ สสารที่เราส่งผ่านพลังานไฟฟ้าเข้าไปแล้วทำให้วาเลนซ์อิเคตรอนหลุดออกจากวงโคจรได้อยากหรือ
เคลื่อนที่ออกจากอะตอมนั้นได้อยาก เนื่องจากมีแถบพลังงานช่องว่างมาก( ในอุดมคติ )
สารกึ่งตัวนำ เป็นธาตุอย่างหนึ่ง ที่ได้มาจากการโด๊ป ( Doping ) โดยเติมสารเจือ ( Impurity )เข้าไป
เพื่อเพิ่มจำนวนอิเล็คตรอน( Electron ) หรือ จำนวนของโฮล ( Hole ) ให้เพิ่มขึ้น ทำให้นำกระแสทาง
ไฟฟ้าในระดับที่ต้องการ ( ขึ้นอยู่กับการออกแบบโครงสร้างภายใน )

ตัวนำ คือ สสารที่เราส่งผ่านพลังานไฟฟ้าเข้าไปแล้วทำให้วาเลนซ์อิเคตรอนหลุดออกจากวงโคจรได้ง่ายหรือ
เคลื่อนที่ออกจากอะตอมนั้นได้ง่าย เนื่องจากมีแถบพลังงานช่องว่างแคบหรือน้อย( ในอุดมคติ )
ก็ ...ประมาณนี้ก่อนนะครับ โปรดติดตามตอนต่อไป

Basic switching power supply

การสะสมกำลังงานของการสร้างแรงดันไฟสูง ในส่วนประกอบหลักของระบบ switching power supply
ชึ่งมีหลักการพื้นฐานดั่งนี้ เมื่อป้อนแรงดันไฟ +100 Vdc เข้ามา ขด P1 ไปออกที่ P2 ผ่านอิเล็กทรอนิกส์
สวิตช์( S1 )ไปครบวงจรกับไฟ -100 Vdc ( Switch turn on สวิตช์ต่อวงจร) กรณีนี้ย่อมทำให้เกิดการเหนี่ยวนำขึ้นในแกนทรานส์ฟอร์เมอร์ หมายความว่าตอนนี้ขดลวด P1 เป็นเฟสบวก ขด P2 เป็นเฟสลบ เมื่อคิดเฟสการเหนี่ยวนำออกไปในด้าน
output ทำให้เกิดเฟสตรงกันข้ามคีอ S1 เป็นเฟสลบ S2 เป็นเฟสบวก หลักการเบื่องต้นของไดโอด (D1)
จะทำได้ก็ต่อเมื่อขดลวด S1 เป็นเฟสบวกเท่านั้น ดั่งนั้นในตอนนี้ไดโอดไม่สามารถนำกระแสได้ จึงเป็นเวลา
ของการสะสมกำลังงาน สวิตช์จะต่อวงจรไว้นาน เพราะพัลซ์บวกนั้นการเรียงโมเลกุลของแกนทรานส์ฟอร์มอร์
สามารถจัดเรียงโมเลกุลได้มากที่สุดเมื่อเทียบกับเฟสลบ ต่อไปเมื่ออิทรอนิกสวิตช์ออฟ ( switch turn off สวิตช์ไม่ต่อวงจร )
กระแสที่เคยใหลเข้า P1 ออก P2 จึงหยุดใหล สนามแม่เหล็กของทรานส์ฟอร์มอร์ที่จัดเรียงโมเลกุลอยู่จึงยุติลง
การยุบตัวตัดขดลวดทำให้เกิดทิศทางเฟสตรงกันข้ามช่วงแรก นั้นคือในตอนนี้ P1 เป็นเฟสลบ P2 เป็นเฟสบวก
ในขณะเดียวกันทางด้าน Output S1เป็นเฟสบวก S2 เป็นเฟสลบ พลังงานที่สะสมไว้ในตอนแรกจะยุบตัวจ่ายพลังงาน
ออกไปอย่างรวดเร็ว ไดโอดที่ต่อไว้ทางด้าน output จึงทำงานให้แรงดันไฟใหลผ่านได้และนำไปใช้งานต่อไป

Plasma Display Panel Basic

Plasma Display Panels are like CRTs in that they are emissive and use phosphor, and like LCDs in their use of an X and Y grid of electrodes separated by an MgO dielectric layer and surrounded by a mixture of inert gases - such as argon, neon or xenon - to address individual picture elements.
They work on the principle that passing a high voltage through a low-pressure gas generates light. Essentially, a PDP can be viewed as a matrix of tiny fluorescent tubes which are controlled in a sophisticated fashion. Each pixel, or cell, comprises a small capacitor with three electrodes. An electrical discharge across the electrodes causes the rare gases sealed in the cell to be converted to plasma form as it ionises. Plasma is an electrically neutral, highly ionised substance consisting of electrons, positive ions, and neutral particles. Being electrically neutral, it contains equal quantities of electrons and ions and is, by definition, a good conductor. Once energised, the cells of plasma release ultraviolet (UV) light which then strikes and excites red, green and blue phosphors along the face of each pixel, causing them to glow.
Within each cell, there are actually three subcells, one containing a red phosphor, another a blue phosphor, and the third a green phosphor. To generate colour shades, the perceived intensity of each RGB colour must be controlled independently. While this is done in CRTs by modulating the electron beam current, and therefore also the emitted light intensities, PDPs accomplish shading by pulse code modulation (PCM). Dividing one field into eight sub-fields, with each pulseweighted according to the bits in an 8-bit word, makes it possible to adjust the widths of the addressing pulses in 256 steps. Since the eye is much slower than the PCM , it will integrate the intensity over time. Modulating the pulse widths in this way translates into 256 different intensities of each colour - giving a total number of colour combinations of 256x256x256 = 16,777,216.

start my blog sonicelectronic

A basic knowledge in electronics is always helpful. You could repair minor electronics problem at home instead of hiring help.

Electronic components are physical entities within the electronic system. Their sole purpose is to affect the associated fields or the electron via a desired reliable method with the intended purpose of the electronic system. Some of the usual electronic components are transistors, diodes, resistors, and capacitors.

Digital electronic devices are types of electronic systems that use digital signals. Its representation of Boolean algebra is commonly used in mobile phones, computers and other costumer products. Digital electronic devices and other digital circuits are usually made from big assemblies of logic gates.

Analog electronic devices are electronic systems with a constant variable signal. The earliest electronic device invented was the analog. The major difference between digital and analog electronics is its noise, precision and design difficulties.

The process information is programmable in analog electronics. They are more vulnerable to noise as compared to digital electronics. In digital electronics, as the information is programmed and as the signals stay long inside the range value, digital electronic devices represent identical information similar to analog electronic devices.

Digital electronics are much smaller and easier to design as compared to similar analog electronic processes. This is one of the major reasons why the latter is more common and preferred. An analog electronic device should be designed by hand. The procedure is less automatic as compared to digital electronics.